参观 2024 年嵌入式世界大会上的联盟存储器

参观 2024 年嵌入式世界大会上的联盟存储器；Alliance Memory 将参加在德国纽伦堡举行的 2024 年嵌入式世界大会，展示最新的 LPDDR4x、eMMC、闪存、SDRAM 和低功耗 SRAM 解决方案。

2024年4 月 9 日至 11 日期间，请参观3A 展厅 215 号展位，了解有关这些产品的更多信息。

新产品

全新 16 Gb 和 32 Gb LPDDR4X SDRAM

新型 16 Gb AS4C512M32MD4V-046BIN 和 32 Gb AS4C1G32MD4V-046BIN 采用 200 球细间距球栅阵列 (FBGA) 封装，工作电压为 0.6 V，可延长消费、商业和工业市场便携式电子产品的电池寿命，包括智能手机、智能音箱、安全监控系统和其他利用人工智能 (AI) 和 5G 的物联网 (IoT) 设备
技术。LPDDR4X SDRAM提供 32 位总线宽度，以 2.133 GHz 的高时钟频率运行，具有 4.2 Gbps 的极高数据速率，为嵌入式应用中的高级音频和超高分辨率视频提供更高的效率。

重点产品

4 GB 至 128 GB eMMC 解决方案

该公司已将其eMMC产品扩展至包括从 4 GB 一直到 128 GB 的密度，为您提供广泛的选择，以满足消费者、工业和网络应用中的固态存储需求。该器件将 MLC NAND（4 GB 至 16 GB）和 TLC NAND（32 GB 至 128 GB）闪存与 eMMC 控制器和闪存过渡层 (FTL) 管理软件集成在单个 11.5 mm x 13 mm 153 球 FBGA 封装中。

1.8 V、128 Mb 多 I/O 串行 NOR 闪存解决方案

提供增强的性能——包括高达 133 MHz 的快速读取性能；快速编程和擦除时间分别低至 0.3 ms 和 60 ms（典型值）；主动读取电流低至 5 mA — 我们的全新AS25F 系列1.8 V、128 Mb 多输入/输出串行 NOR 闪存产品采用 1.65 V 至 1.95 V 单电源运行，旨在满足计算机的需求、消费者、通信、物联网和移动市场。

1.8 V 和 3 V SPI NAND 闪存解决方案

AS5F 系列1.8 V 和 3 V 器件的密度为 1 Gb 至 8 Gb，高速时钟频率高达 120 MHz，可满足汽车、工业、通信和消费电子市场对 SPI NAND 闪存产品不断增长的需求。

全新 16 Gb DDR4 SDRAM

该公司通过采用 96 球 FBGA 封装的新型 16 Gb 器件扩展了其互补金属氧化物半导体 (CMO)S DDR4 SDRAM 产品组合。新款AS4C1G16D4-062BCN 的性能优于上一代 DDR3 SDRAM，功耗更低，速度和传输速率更高。

新LPSRAM

新型低功耗异步1 Mb 和 4 Mb SRAM (LPSRAM)产品具有嵌入式纠错码 (ECC) 功能。与上一代器件相比，新型 AS6CE1016A (1Mb) 和 AS6CE4016B (4Mb) 提供更好的故障及时 (FIT) 和平均故障时间 (MTTF) 特性，同时降低了软错误率 (SER)。