牛津仪器 (Oxford Instruments) 获得 GaN HEMT ALE 和 ALD 系统的大额订单

牛津仪器 (Oxford Instruments) 获得 GaN HEMT ALE 和 ALD 系统的大额订单

日本正在为主要电力电子和射频市场大幅提高 GaN HEMT 产量。

几家市场领先的日本代工厂已向牛津仪器等离子体技术公司下了大笔订单，用于等离子体原子层沉积 (ALD) 和原子层蚀刻 (ALE)，用于制造 GaN HEMT 器件。该系统将为快速扩张的 GaN 电力电子和射频领域提供支持。

对于电力电子，该系统将优先考虑5G /6G通信应用，而对于射频，它们将专注于消费者快速充电和数据中心应用。

除了提高薄膜和界面的质量外，牛津仪器的 ALD 技术还为市场领先的 GaN HEMT 器件制造商提供高通量、低损伤的等离子体处理。牛津仪器 (Oxford Instruments) 的 p-GaN HEMT 生产合格 ALE 解决方案通过 Etchpoint®（与 LayTec AG 合作的新型端点检测）将无与伦比的精度与低损伤蚀刻结合在一起。

Etchpoint® 诞生于 LayTec 和 Oxford Instruments 之间的独家合作，能够实现从传统高速蚀刻处理到低损伤 ALE 的自动转换，从而提高设备的可靠性。此外，ALE 允许以 0.5 nm 的精确深度执行部分 AlGaN 凹槽蚀刻，这在业界是无与伦比的，以促进下一代 GaN MISHEMT E 模式器件的运行。

通过将这些技术集中在自动处理机上，允许在不影响真空的情况下进行多室处理，可以提高设备性能并以更低的成本每天交付更多数量的高质量晶圆。

牛津仪器等离子技术公司报告称，日本正在大幅增加用于关键电力电子和射频市场的 GaN HEMT 产量，该公司正在通过扩大客户群和收购新客户来利用这一点。

牛津仪器 (Oxford Instruments) 的完整 GaN HEMT 解决方案旨在解决客户复杂的器件挑战，同时保持生产级吞吐量、可靠性和正常运行时间。